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用溶胶-凝胶法制备了低k多孔SiO2:F薄膜，用空间电荷限制电流法(SCLC)研究了多孔SiO2:F薄膜中的隙态密度以及掺F量对隙态密度的影响，得到了平衡费米能级附近的隙态密度约为7×1015cm-3·eV-1，以及带隙中隙态随能量的分布. 并对造成隙态的主要原因也进行了讨论.

关键词:
隙态密度/

　SCLC/

　多孔SiO2:F/

　低k
Abstract
The porous fluorine doped silica (SiO2:F) films were prepared by sol-gel method. The densities of the states (DOS) of the SiO2:F films and the effect of the dose of the F dopant were studied by space charge limited current(SCLC) techniques. Distribution of defect states N(E) in the vicinity of Fermi level in SiO2:F films was determined to be about 7×1015cm-3·eV-1. The dangling bounds on the surface of the porous film were the primary cause of the DOS.

Keywords:
density of states/

SCLC/

porous SiO2:F/

low k
作者及机构信息
缑洁,

何志巍,

潘国辉,

王印月

1.

基金项目:国家自然科学基金(批准号：50272027)资助的课题.
Authors and contacts
Gou Jie,

He Zhi-Wei,

Pan Guo-Hui,

Wang Yin-Yue

1.
参考文献

施引文献

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