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摘要
采用等离子增强化学气相沉积方法(PECVD)制备了微量掺碳的p型纳米非晶硅碳薄膜(p-nc-SiC：H)，反应气体为硅烷和甲烷，掺杂气体采用硼烷，沉积温度分别采用333K，353K和373K.测量结果表明随着沉积温度增加和碳含量的增加，薄膜的光学带隙增加；薄膜具有较宽的带隙和较高的电导率，同时有较低的激活能(0.06eV).Raman和XRD测量结果表明薄膜存在纳米晶.优化的p型纳米非晶硅碳薄膜作为非晶硅p-i-n太阳电池的窗口层，使得太阳电池的开路电压达到0.94V.

关键词:
光学带隙/

纳米硅/

薄膜/

太阳能电池
Abstract
This paper presents a detailed study on the effects of carbon incorporation and substrate temperature on structural, optical, and electrical properties of p-type nanocrystalline amorphous silicon films. A p-nc-SiC：H thin film with optical gap of 1.92eV and activation energy of 0.06eV is obtained through optimizing the plasma parameters. By using this p-type window layer, single junction diphasic nc-SiC：H /a-Si：H solar cells have been successfully prepared with a Voc of 0.94eV.

Keywords:
Infrared absorption spectra/

optical band gap/

nanocrystalline silicon films/

solar cells
作者及机构信息
许颖⁴,

刁宏伟³,

张世斌²,

励旭东¹,

曾湘波³,

王文静¹,

廖显伯³

基金项目:北京市自然科学基金(批准号：04D063)资助的课题.
Authors and contacts
Xu Ying⁴,

Diao Hong-Wei³,

Zhang Shi-Bin²,

Li Xu-Dong¹,

Zeng Xiang-Bo³,

Wang Wen-Jing¹,

Liao Xian-Bo³
参考文献

施引文献

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