- 必威体育下载

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

摘要

针对功率集成电路对低损耗LDMOS (lateral double-diffused MOSFET)类器件的要求,在N型缓冲层super junction LDMOS (buffered SJ-LDMOS)结构基础上, 提出了一种具有N型缓冲层的REBULF (reduced BULk field) super junction LDMOS结构. 这种结构不但消除了N沟道SJ-LDMOS由于P型衬底带来的衬底辅助耗尽效应问题, 使super junction的N区和P区电荷完全补偿, 而且同时利用REBULF的部分N型缓冲层电场调制效应, 在表面电场分布中引入新的电场峰而使横向表面电场分布均匀, 提高了器件的击穿电压. 通过优化部分N型埋层的位置和参数, 利用仿真软件ISE分析表明, 新型REBULF SJ-LDMOS 的击穿电压较一般LDMOS提高了49%左右, 较文献提出的buffered SJ-LDMOS结构提高了30%左右.

关键词:

Abstract

In this paper, a new REBULF (reduced BULk field) SJ-LDMOS (lateral double-diffused MOSFET) is proposed with the N type buffered layer based on the buffered SJ-LDMOS for the low loss of LDMOS used in the power integrated circuits. In this structure, the problem of the substrate-assisted depletion, produced due to the P-type substrate for the N-channel SJ-LDMOS, is eliminated by the N-type buffered layer. The charges for the N-type and P-type pillars are depleted completely. Moreover, a new electric field peak is introduced into the surface electric field distribution, which makes the lateral surface electric field uniform. The breakdown voltage is improved for the REBULF SJ-LDMOS in virtue of the ISE simulation results. By optimizing the location and parameters of the N-type buried layer, the breakdown voltage of REBULF SJ-LDMOS is increased by about 49% compared with that of the conventional LDMOS, and improved by about 30% compared with that of the buffered SJ-LDMOS.

Keywords:

作者及机构信息

1.

基金项目:国家重点基础研究发展计划(批准号:2014CB339900)、国家自然科学基金重点项目(批准号:61234006)和国家自然科学基金重点项目(批准号:61334002)资助的课题.

Authors and contacts

1.

Funds:Project supported by the National Basic Research Program of China (Grant No. 2014CB339900), the Key Program of the National Natural Science Foundation of China (Grant Nos. 61234006, 61334002).

参考文献

[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
[6]
[7]
[8]
[9]
[10]
[11]
[12]
[13]
[14]
[15]
[16]
[17]
[18]
[19]
[20]
[21]
[22]
[23]
[24]
[25]
[26]
[27]
[28]

施引文献

[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
[6]
[7]
[8]
[9]
[10]
[11]
[12]
[13]
[14]
[15]
[16]
[17]
[18]
[19]
[20]
[21]
[22]
[23]
[24]
[25]
[26]
[27]
[28]

[1]	苏乐, 王彩琳, 杨武华, 梁晓刚, 张超.SGT-MOSFET电场解析模型的建立. 必威体育下载 , 2023, 72(14): 148501.doi:10.7498/aps.72.20230550
[2]	刘成, 李明, 文章, 顾钊源, 杨明超, 刘卫华, 韩传余, 张勇, 耿莉, 郝跃.复合漏电模型建立及阶梯场板GaN肖特基势垒二极管设计. 必威体育下载 , 2022, 71(5): 057301.doi:10.7498/aps.71.20211917
[3]	于博, 梁伟, 焦蛟, 康小录, 赵青.稍不均匀电场中低气压击穿的起始路径研究. 必威体育下载 , 2019, 68(7): 070201.doi:10.7498/aps.68.20181999
[4]	王骁玮, 罗小蓉, 尹超, 范远航, 周坤, 范叶, 蔡金勇, 罗尹春, 张波, 李肇基.高k介质电导增强SOI LDMOS机理与优化设计. 必威体育下载 , 2013, 62(23): 237301.doi:10.7498/aps.62.237301
[5]	段宝兴, 杨银堂, 陈敬.F离子注入新型Al0.25Ga0.75 N/GaN HEMT 器件耐压分析. 必威体育下载 , 2012, 61(22): 227302.doi:10.7498/aps.61.227302
[6]	黄茜, 张德坤, 熊绍珍, 赵颖, 张晓丹.降低表面等离子激元寄生吸收损失的途径研究. 必威体育下载 , 2012, 61(21): 217301.doi:10.7498/aps.61.217301
[7]	蔡利兵, 王建国.介质表面高功率微波击穿中释气现象的数值模拟研究. 必威体育下载 , 2011, 60(2): 025217.doi:10.7498/aps.60.025217
[8]	高勇, 马丽, 张如亮, 王冬芳.n,p柱宽度对超结SiGe功率二极管电学特性的影响. 必威体育下载 , 2011, 60(4): 047303.doi:10.7498/aps.60.047303
[9]	杨银堂, 耿振海, 段宝兴, 贾护军, 余涔, 任丽丽.具有部分超结的新型SiC SBD特性分析. 必威体育下载 , 2010, 59(1): 566-570.doi:10.7498/aps.59.566
[10]	汤晓燕, 张义门, 张玉明.SiC肖特基源漏MOSFET的阈值电压. 必威体育下载 , 2009, 58(1): 494-497.doi:10.7498/aps.58.494
[11]	蔡利兵, 王建国.介质表面高功率微波击穿的数值模拟. 必威体育下载 , 2009, 58(5): 3268-3273.doi:10.7498/aps.58.3268
[12]	李琦, 张波, 李肇基.漂移区表面阶梯掺杂LDMOS的击穿电压模型. 必威体育下载 , 2008, 57(3): 1891-1896.doi:10.7498/aps.57.1891
[13]	魏巍, 郝跃, 冯倩, 张进城, 张金凤.AlGaN/GaN场板结构高电子迁移率晶体管的场板尺寸优化分析. 必威体育下载 , 2008, 57(4): 2456-2461.doi:10.7498/aps.57.2456
[14]	郭亮良, 冯倩, 马香柏, 郝跃, 刘杰.GaN FP-HEMTs中击穿电压与电流崩塌的关系. 必威体育下载 , 2007, 56(5): 2900-2904.doi:10.7498/aps.56.2900
[15]	郭亮良, 冯倩, 郝跃, 杨燕.高击穿电压的AlGaN/GaN FP-HEMT研究与分析. 必威体育下载 , 2007, 56(5): 2895-2899.doi:10.7498/aps.56.2895
[16]	李琦, 李肇基, 张波.表面注入P-top区double RESURF功率器件表面电场模型. 必威体育下载 , 2007, 56(11): 6660-6665.doi:10.7498/aps.56.6660
[17]	马晓华, 郝跃, 陈海峰, 曹艳荣, 周鹏举.电压应力下超薄栅氧化层n-MOSFET的击穿特性. 必威体育下载 , 2006, 55(11): 6118-6122.doi:10.7498/aps.55.6118
[18]	赵毅, 万星拱.0.18μm CMOS工艺栅极氧化膜可靠性的衬底和工艺依存性. 必威体育下载 , 2006, 55(6): 3003-3006.doi:10.7498/aps.55.3003
[19]	方健, 乔明, 李肇基.电荷非平衡super junction结构电场分布. 必威体育下载 , 2006, 55(7): 3656-3663.doi:10.7498/aps.55.3656
[20]	王彦刚, 许铭真, 谭长华, 段小蓉.超薄栅氧化层n-MOSFET软击穿后的导电机制. 必威体育下载 , 2005, 54(8): 3884-3888.doi:10.7498/aps.54.3884

计量

文章访问数:5259
PDF下载量:520
被引次数:0

搜索

留言板

New REBULF super junction LDMOS with the N type buffered layer

摘要

Abstract

作者及机构信息

1.

Authors and contacts

1.

参考文献

施引文献

目录

计量

作者中心

必威betway88欢迎你

关于期刊

关于我们

搜索

留言板

New REBULF super junction LDMOS with the N type buffered layer

摘要

Abstract

作者及机构信息

1.

Authors and contacts

1.

参考文献

施引文献

目录

计量

出版历程

作者中心

必威betway88欢迎你

关于期刊

关于我们